Nonvolatile memory device

摘要

3차원 구조의 비휘발성 메모리 장치가 제공된다. 비휘발성 메모리 장치는 메모리 셀 영역 및 콘택 영역들을 포함하는 반도체 기판, 메모리 셀 영역에서, 반도체 기판에 대해 수직으로 신장된 활성 기둥들, 메모리 영역에서 콘택 영역으로 연장되며, 활성 기둥들을 가로지르는 복수 개의 게이트 전극들 및 콘택 영역에서, 반도체 기판에 대해 수직으로 신장되어 게이트 전극들을 관통하는 복수 개의 지지대들을 포함한다.