非挥发性半导体记忆体装置

主权项

一种非挥发性半导体记忆体装置，其包含：一记忆体组件，其中该记忆体组件之两个电极之间的一电荷放电速率基于储存于该记忆体组件之中之资讯之一逻辑值而变化；一感测放大器，其藉由比较连接至该记忆体组件之该等电极中之一者所连接至的一布线之一感测节点之一放电电位与一参考节点之一参考电位来侦测该资讯之该逻辑值；及一负载电容改变单元，其根据储存于该记忆体组件中之该资讯之该逻辑值来改变该感测节点之一负载电容，或者该感测节点之该负载电容及该参考节点之一负载电容两者。