| 发明名称 |
半导体元件与其形成方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI481032 |
申请公布日期 |
2015.04.11 |
| 申请号 |
TW099130826 |
申请日期 |
2010.09.13 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
吴志强;许俊豪;张志豪;谢文兴 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基板，其中该基板具有一鳍状物延伸自一基板，以及绝缘区位于该鳍状物的相反两侧；使至少部份该鳍状物凹陷至该绝缘区上表面的下方；沿着该凹陷后的鳍状物之上表面形成一应力诱导区；以及形成一应力鳍状物于该应力诱导区上。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
