制造ｎ通道金氧半导体场效应电晶体的方法

主权项

一种制造n通道金氧半导体场效应电晶体的方法，包括：提供一矽基底；于该矽基底上形成一闸极结构，该闸极结构包括：一闸极绝缘层位于该矽基底上，一导电层位于该闸极绝缘层上，及一侧壁子，位于该导电层之侧壁上；使用该闸极结构做为一遮罩，于该闸极结构相对两侧之该矽基底中引入掺质以分别形成一源极/汲极区域；对该矽基底进行一退火处理；进行一磊晶制程，以形成一磊晶矽层，其中该磊晶矽层覆盖该源极/汲极区域，不覆盖被该侧壁子遮蔽的该矽基底区域；对该磊晶矽层进行一电浆表面处理，以于该磊晶矽层表面附着一氟离子层；形成一镍金属层覆盖于该磊晶矽层上；以及进行一快速高温制程，使该镍金属层与该磊晶矽层及该磊晶矽层下方的该矽基底反应，以形成矽化镍层。