发明名称 使用字元线耦合之记忆体之多次程式化
摘要
申请公布号 TWI480878 申请公布日期 2015.04.11
申请号 TW098134975 申请日期 2009.10.15
申请人 桑迪士克科技公司 发明人 杜塔 狄班舒;路特西 杰佛瑞W
分类号 G11C16/10 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种用于操作非挥发性储存器之方法,其包含:(a)在一组(200)串联连接之储存元件中之一特定储存元件(714)上执行程式化及验证操作以将该特定储存元件之一临限电压升高至一第一验证位准(Vva-pw1、Vvb-pw1、Vvc-pw1、Vvx-pw1),且在该等验证操作期间,将一第一通过电压(Vread-pw1)施加至该组串联连接之储存元件中之该特定储存元件之一毗邻储存元件(724);(b)随后,在该毗邻储存元件上执行程式化及验证操作以升高该毗邻储存元件之一临限电压;(c)随后,在该特定储存元件上执行另外程式化及验证操作以将该特定储存元件之该临限电压升高至高于该第一验证位准之一第二验证位准(Vva-pw2、Vvb-pw2、Vvc-pw2、Vvx-pw2),且在该等另外验证操作期间,将不同于该第一通过电压之一第二通过电压(Vread-pw2)施加至该毗邻储存元件。
地址 美国