| 主权项 |
一种磊晶元件的制作方法，包含：(a)于一磊晶用基板向上形成一牺牲膜；(b)以微影制程将该牺牲膜定义形成一使该基板对应区域裸露的牺牲结构，并在移除该牺牲膜的预定结构而使该基板对应的区域裸露时，使该基板裸露的区域具有多数高度远低于该牺牲结构的凸部，与多数连结该等凸部的凹部；(c)自该牺牲结构与该等凸部向上磊晶形成一底面与该等凹部形成间隙的磊晶层体；(d)自该磊晶层体向上形成一与该磊晶层体电连接的导电基材，及一自该导电基材向该磊晶用基板方向形成并将该导电基材、磊晶层体定义出多数磊晶元件的图样流道；及(e)经由该图样流道与间隙蚀刻移除该牺牲结构并使该等磊晶元件与该磊晶用基板分离，得到多数磊晶元件。
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