垂直记忆体单元

主权项

一种形成一垂直记忆体单元之方法，其包括：在一导体线上方形成一半导体结构，该半导体结构具有在一主体区域正下方之一第一区域，该第一区域包含第一掺杂材料与第二掺杂材料之间的一第一接面；在该第一区域上面之该半导体结构之一第一对侧壁上形成一蚀刻保护材料；及相对于该主体区域之一横截面积减小该第一区域之一横截面积，其中在一第一维度上该第一区域小于该主体区域；及形成毗邻该主体区域之一闸极结构。