| 主权项 |
一种半导体发光装置，包含：基板，化合物半导体层，其形成于该基板的一表面上，金属电极层，其形成于该化合物半导体层上，及其厚度不小于10nm但不大于50nm，光析取层，其形成于该金属电极层上，及相对电极，其形成于该基板的另一表面上；其中该金属电极层包含：金属部，其为连续不断，以在没有断裂之下连续连接其内的任何一对点位置，及复数个开口，其穿过该金属电极层，及其圆形等面积直径不小于10nm但小于5μm；该光析取层至少局部覆盖该金属电极层的金属部，及具有不小于20nm但不大于120nm的厚度；及该光析取层包含具有不小于1.8但不大于2.5的折射率的介电膜。
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