半导体装置及半导体装置的制造方法

主权项

一种包括薄膜电晶体的半导体装置，该薄膜电晶体包括：闸极电极层；该闸极电极层上的闸极绝缘层；该闸极绝缘层上的源极电极层及汲极电极层；该源极电极层上的源区；该汲极电极层上的汲区；以及该闸极绝缘层、该源极电极层、该汲极电极层、该源区及该汲区上的氧化物半导体层，其中，该氧化物半导体层与该闸极绝缘层、该源区的侧部分以及该汲区的侧部分接触，并且其中，该氧化物半导体层隔着该闸极绝缘层与该闸极电极层重叠，并具有比该源区及该汲区高的氧浓度。