| 发明名称 | 物理气相沉积装置 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI480405 | 申请公布日期 | 2015.04.11 |
| 申请号 | TW102142958 | 申请日期 | 2013.11.26 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 陈鹏;赵梦欣;丁培军;王厚工;武学伟;刘建生;耿波;邱国庆;文莉辉 |
| 分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 代理人 | 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 | |
| 主权项 | 一种物理气相沉积装置，包括：一反应腔室，其包含有一顶壁、一溅射靶材及一基片支撑部件，该溅射靶材与该顶壁邻近，该基片支撑部件设置在该反应腔室中且与该溅射靶材相对；一直流电源，该直流电源耦接于该溅射靶材；以及一射频电源，该射频电源的输出端与一射频匹配器和一射频馈入部件依序连接，该射频馈入部件包括一分配环和沿该分配环的圆周方向间隔设置的复数分配条，该分配环经由该等分配条耦接于该溅射靶材，该射频馈入部件经由该分配环耦接于该射频电源。 | ||
| 地址 | 中国 | ||