| 主权项 |
一种肖特基二极体，其特征在于，包括：一个第一导电类型之半导体衬底；一个形成在该半导体衬底上之该第一导电类型且轻掺杂之半导体层；形成在该半导体层中之一第一沟槽和一第二沟槽，该第一沟槽和该第二沟槽内衬一个薄电介质层，并且用仅有的一个沟槽导体层部分填充，该第一沟槽和该第二沟槽的剩余部分用一第一电介质层填充；以及一个形成在该第一沟槽和该第二沟槽之间之轻掺杂之该半导体层顶面上之肖特基金属层以形成一肖特基结，其中该肖特基金属层形成一肖特基二极体的阳极，该第一沟槽和该第二沟槽之间之轻掺杂之该半导体层形成该肖特基二极体之阴极，每个该第一沟槽和该第二沟槽中的该沟槽导体层都电性连接到该肖特基二极体之阳极，该第一沟槽和该第二沟槽中的该沟槽导体层通过各自沟槽中的该第一电介质层绝缘，并与作为该肖特基二极体之阳极的该肖特基金属层在实体上分离。 |
