| 主权项 |
一种半导体元件的制造方法，包含：(A)选择具有第一晶格常数的材料而制备一主体；(B)选择分别具有第二晶格常数、第三晶格常数的材料由该主体向上形成至少一包括一由该具有第二晶格常数的材料构成的第一薄膜，及一由该具有第三晶格常数的材料构成的第二薄膜的牺牲层结构，制得一磊晶基板，其中，该第一晶格常数的数值大小界于该第二晶格常数和第三晶格常数间，而令该牺牲层结构与该主体相连接的界面，及该第一薄膜和第二薄膜的界面分别产生二方向相反的晶格应力；(C)自该磊晶基板最远离该主体的该牺牲层结构向上磊晶形成一由半导体材料构成的元件磊晶结构；(D)形成一替代基板于该元件磊晶结构上；及(E)蚀刻移除该牺牲层结构而使该磊晶基板与该元件磊晶结构相分离，得到一连接于该替代基板上的元件磊晶结构而制得该半导体元件。
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