发明名称 半导体发光装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI481075 申请公布日期 2015.04.11
申请号 TW099130200 申请日期 2010.09.07
申请人 东芝股份有限公司 发明人 小岛章弘
分类号 H01L33/20;H01L33/38 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体发光装置,包括:半导体层,具有:第一主表面;第二主表面,设在该第一主表面之相对侧;包含发光层之突起、及凹陷,设在该第二主表面上;以及沟槽,自该凹陷之底面延伸至该第一主表面;第一电极,设在该半导体层之该凹陷之该底面及该沟槽之侧面上;第二电极,设在该半导体层的该突起之表面上;第一互连接,设在该第一电极之表面上;以及第二互连接,设在该第二电极之表面上;其中,该沟槽沿直线延伸。
地址 日本