发明名称 研磨液
摘要
申请公布号 TWI480367 申请公布日期 2015.04.11
申请号 TW097120856 申请日期 2008.06.05
申请人 富士软片股份有限公司 发明人 斋江俊之;上村哲也
分类号 C09K3/14;C09G1/02;H01L21/304 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种研磨液,其系在半导体积体电路的平坦化步骤中用于化学机械研磨,且系含有四级铵阳离子、腐蚀抑制剂、非离子性界面活性剂、及胶态二氧化矽,且pH为2.5至5.0;该四级铵阳离子系以如下所述之通式(1)或通式(2)所代表之阳离子: [在通式(1)中,R1至R4系代表甲基,R5至R6系各自独立地代表碳原子数为1至20之烷基、烯基、炔基、环烷基、芳基、或芳烷基,R1至R6中之两个也可相互键结而形成环状结构,X是代表碳原子数为1至10之伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸环烷基、伸芳基、或组合两种以上此等之基];[在通式(2)中,R1至R6系各自独立地代表碳原子数为1至20之烷基、烯基、炔基、环烷基、芳基、或芳烷基,R1至R6中之两个也可相互键结而形成环状结构,X是 代表碳原子数为1至10之伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸环烷基、伸芳基、或组合两种以上此等之基]。
地址 日本