| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法与操作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI481021 | 申请公布日期 | 2015.04.11 |
| 申请号 | TW101145386 | 申请日期 | 2012.12.04 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李峰旻;林昱佑;李明修 |
| 分类号 | H01L27/24;H01L29/02 | 主分类号 | H01L27/24 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一基底；一掺杂区域，位于该基底中；以及一堆叠结构，位于该基底上，该堆叠结构包括：一介电层；一电极层；一固态电解质层；以及一离子供应层，用以供应可移动的离子至该固态电解质层。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||