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经营范围
发明名称
半导体奈米线制作方法与半导体奈米结构
摘要
申请公布号
TWI480224
申请公布日期
2015.04.11
申请号
TW101103447
申请日期
2012.02.03
申请人
国立清华大学
发明人
段兴宇;袁芳伟
分类号
B82B3/00;B82Y40/00
主分类号
B82B3/00
代理机构
代理人
林育雅 新北市永和区保生路1号19楼之4
主权项
一种半导体奈米线制作方法,包含下列步骤:将一金属基材置于一反应器中,其中该反应器系一钛反应器;令一惰性气体充满于该反应器中;加热并维持该反应器于一反应温度,并将该反应器内之压力提升至一第一预定压力,接着通入一反应前驱物至该反应器中;持续加入该反应前驱物以将该反应器内之压力提升至一第二预定压力,该第二预定压力系大于该第一预定压力;以及维持该第二预定压力以一预定时间,以于该金属基材上形成至少一半导体奈米线。
地址
新竹市光复路2段101号
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