基于导电奈米通道板之静态随机存取记忆体单元

主权项

一种制造半导体装置之方法，系包括：形成通过第一层间介电质的源极接触；在该第一层间介电质上形成导电本体；在该导电本上形成第二层间介电质；藉由形成通过该第二层间介电质、该导电本体及该第一层间介电质的汲极和闸极接触而形成金属接触；在该导电本体中形成在该金属接触外侧之奈米通道；在该通道中形成绝缘层；以及金属化该通道。