| 摘要 |
<p>본 발명은, 반도체 장치에 있어서, 트랜지스터의 이동도를 향상시키기 위해서 반도체 층에 왜곡을 줄 때, 인장(引張) 왜곡을 주는 것이 바람직한 트랜지스터와, 압축 왜곡을 주는 것이 바람직한 트랜지스터를 동일의 기판 위에서 효율 좋게 형성하기 위한 구성 및 제작 방법을 제공한다. 동일의 기판 위에 단결정 반도체 기판으로부터 분리하여 절연 표면을 가지는 기판에 접합층을 통하여 접합된 단결정 반도체 층을 포함하는 복수 종류의 트랜지스터를 형성한다. 하나의 트랜지스터는, 인장 왜곡이 주어진 단결정 반도체 층을 활성층으로서 사용하고, 다른 트랜지스터는, 접합한 후에 지지 기판의 가열 처리에 의하여 생기는 열 수축의 일부를 이용한 압축 왜곡이 주어진 단결정 반도체 층을 활성층으로서 사용한다.</p> |
