| 摘要 |
<p>SOI 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 고성능화, 저소비 전력화를 목적의 하나로 한다. 또 더욱 고집적화된 고성능의 반도체소자를 갖는 반도체 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 절연 표면을 갖는 기판 위에 n채널형 및 p채널형 전계 효과 트랜지스터가 각각 층간 절연층을 개재하여 적층되어 있는 반도체 장치로 한다. 응력을 갖는 절연막에 의해서 반도체층에 주는 변형, 반도체층의 면방위, 또는 채널 길이 방향의 결정축을 제어함으로써 n채널형과 p채널형 전계 효과 트랜지스터의 이동도의 차를 경감하여, 전류 구동 능력 및 응답 속도를 동등하게 한다.</p> |
