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发明名称
Mask for extreme ultraviolet lithography process
摘要
<p>극자외선 노광 공정용 마스크가 제공된다. 상기 마스크는, 기판 상에 적층된 복수의 단위막(unit layer)을 포함하는 반사막 및 상기 반사막 상의 위상 변조 패턴을 포함하되, 상기 단위막은, 제1 물질막 및 상기 제1 물질막 상의 제2 물질막을 포함하고, 상기 단위막의 두께는 7.0~7.2nm 이다.</p>
申请公布号
KR101511426(B1)
申请公布日期
2015.04.10
申请号
KR20130082724
申请日期
2013.07.15
申请人
发明人
分类号
G03F1/22;H01L21/027
主分类号
G03F1/22
代理机构
代理人
主权项
地址
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