| 摘要 |
<p>반도체 장치는 제1 드리프트 구역을 갖는 제1 트랜지스터, 및 복수의 제2 트랜지스터들을 포함하며, 각각의 제2 트랜지스터는 소스 영역, 드레인 영역 및 게이트 전극을 포함한다. 제2 트랜지스터들은 제1 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 직렬 회로를 형성하도록 전기적으로 직렬 연결되며, 제1 트랜지스터 및 복수의 제2 트랜지스터들은 매립형 도핑 층을 포함하는 반도체 기판에 적어도 부분적으로 배치되고, 제2 트랜지스터들의 소스 또는 드레인 영역은 매립형 도핑 층에 배치된다.</p> |
