| 摘要 |
<p>본 발명은 유기 박막트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것이다. 이 유기 박막트랜지스터는 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극 사이에 형성되는 유기 반도체층 및 유기 게이트 절연막; 및 고분자 전구체 형태의 자외선 경화성 재료를 포함하여 상기 전극들과 유기 반도체를 덮는 패시베이션층을 구비한다. 상기 고분자 전구체 형태의 자외선 경화성 재료는 글리씨딜 메타크릴레이트(Glycidyl methacrylate)와 헥사네디올 디아크릴레이트(1,6-hexanediol diacrylate)를 포함한다.</p> |
