发明名称 |
Silicon wafer of mixed structure using wet etching process and preparing thereof |
摘要 |
<p>본 발명은 습식에칭법을 이용한 실리콘 웨이퍼 복합구조 및 이의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 습식에칭으로 피라미드 패턴이 형성된 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼에 있어서, 상기 피라미드 패턴 상에 실리콘의 결정방향에 따라 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 습식에칭법을 이용한 피라미드 및 나노와이어 실리콘 웨이퍼 복합구조를 제공한다.</p> |
申请公布号 |
KR101510709(B1) |
申请公布日期 |
2015.04.10 |
申请号 |
KR20130088015 |
申请日期 |
2013.07.25 |
申请人 |
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发明人 |
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分类号 |
H01L31/0236;H01L31/04;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/0236 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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