发明名称 Silicon wafer of mixed structure using wet etching process and preparing thereof
摘要 <p>본 발명은 습식에칭법을 이용한 실리콘 웨이퍼 복합구조 및 이의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 습식에칭으로 피라미드 패턴이 형성된 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼에 있어서, 상기 피라미드 패턴 상에 실리콘의 결정방향에 따라 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 습식에칭법을 이용한 피라미드 및 나노와이어 실리콘 웨이퍼 복합구조를 제공한다.</p>
申请公布号 KR101510709(B1) 申请公布日期 2015.04.10
申请号 KR20130088015 申请日期 2013.07.25
申请人 发明人
分类号 H01L31/0236;H01L31/04;H01L31/18 主分类号 H01L31/0236
代理机构 代理人
主权项
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