| 摘要 |
<p>Projektionsbelichtungsanlage (1) für die EUV-Mikrolithographie – mit einer EUV-Lichtquelle (2) zur Erzeugung von EUV-Nutzlicht (3), – mit einer Beleuchtungsoptik (5) zur Beleuchtung eines Objektfeldes (14) mit dem Nutzlicht (3), – mit einer Projektionsoptik (16) zur Abbildung des Objektfeldes (14) in ein Bildfeld (17), – und mit einer Scaneinrichtung (6) zum Ausleuchten des Objektfeldes (14) durch mit einer Projektionsbelichtungsdauer synchronisiertem Ablenken des Nutzlichts (3), – wobei die Beleuchtungsoptik (5) mindestens einen Pupillenfacettenspiegel (9) mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten zur Vorgabe einer Beleuchtungswinkelverteilung des Objektfeldes (14) – und mindestens einen Feldfacettenspiegel (7) mit einer Mehrzahl von Feldfacetten zur Vorgabe einer Form des ausgeleuchteten Objektfeldes (14) aufweist.</p> |
