光電気デバイス及びその製造方法

摘要

光電気デバイス（１０）は、アノード及びカソード層（２２、２４）並びに両層の間に配置された光電気層（２６）を有するとともに、光透過面（２８）を有する光電気層構造（２０）を備え、両層のうちのカソード層が光透過面に最も近い。光電気層構造の、光透過面とは反対の側には、二重導電層構造（４０）が配置される。二重導電層構造は、第１の電気絶縁層（４６）により相互に絶縁された第１及び第２の導電層（４２、４４）を有し、両層のうちの第１の導電層が光電気層構造に最も近い。発光層構造と二重導電層構造の間には、第２の電気絶縁層（５０）が配置され、第１の導電層は、第１の横断導電体（６２）により、第２の電気絶縁層を介してアノード層と電気的に接続され、第２の導電層は、第２の横断導電体（６４）により、第１の電気絶縁層、第１の導電層、第２の電気絶縁層、アノード電極層及び発光層を介してカソード層と電気的に接続される。【選択図】図１