| 摘要 |
<p>Halbleiterbauteil (1', 1''), das mehrere Halbleiter-Funktionselemente aufweist, mit: – einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht (2, 3) wobei die zweite Halbleiterschicht (3) auf der ersten Halbleiterschicht (2) aufgebracht und zu dieser invers dotiert ist, – Isolatorstrukturen (4, 5), die wenigstens in der zweiten Halbleiterschicht vorgesehen sind, die in die erste Halbleiterschicht hineinragen und die zur Aufteilung der zweiten Halbleiterschicht (3) in mehrere voneinander isolierte Halbleitergebiete (6, 7, 8) dienen, wobei jedes Halbleiter-Funktionselement wenigstens zum Teil aus einem der Halbleitergebiete (6, 7, 8) gebildet ist und die Isolatorstrukturen (4, 5) aus einem zur zweiten Halbleiterschicht (3) invers dotierten Halbleitermaterial bestehen, in das Gräben (13, 14) eingelassen sind, dadurch gekennzeichnet, dass – zumindest ein unterer Bereich der Gräben (13, 14) mit Metall oder Silizid (15) gefüllt ist, – die Isolatorstrukturen durch Eindiffusion aus den Gräben (13, 14) hergestellt sind, und – die Gräben so von der Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (3) in diese eingelassen sind, dass das Metall oder Silizid (15) gegenüber der zweiten Halbleiterschicht (3) durch das invers dotierte Halbleitermaterial isoliert ist.</p> |
