Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen von diesem

摘要

Ein Halbleiterbauelement (1) umfasst: ein Substrat (10) aus Siliziumcarbid; einen Isolationsfilm (20, 40), der auf einer Fläche (10A) des Substrats (10) ausgebildet ist; einen Pufferfilm (51), der kein Al enthält; und eine Elektrode (52), die Al enthält. Das Substrat (10) weist einen elektrisch leitenden Bereich (12) auf. In dem Halbleiterbauelement ist ein Kontaktloch (80) derart über dem elektrisch leitenden Bereich (12) ausgebildet, dass es sich durch den Isolationsfilm (20, 40) erstreckt und die Fläche (10A) des Substrats (10) freilegt. Der Pufferfilm (51) erstreckt sich an einer Seitenwandfläche (80A) des Kontaktlochs (80) von einer Bodenfläche (80B) des Kontaktlochs (80) nach oben. Die Elektrode (52) ist in Kontakt mit dem elektrisch leitenden Bereich (12) an der Bodenfläche (80B) des Kontaktslochs (80) ausgebildet und ist auf dem Isolationsfilm (20, 40) ausgebildet, wobei dazwischen der Pufferfilm (51) angeordnet ist.