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Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen vertikalen IGFET (310) in einem ersten Gebiet (300) eines Halbleiterkörpers (200), wobei der vertikale IGFET (310) eine Driftzone (324) zwischen einer Bodyzone (320) und einer Drainzone (328) hat und die Driftzone (324) ein vertikales Dotierstoffprofil eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, das eine Überlagerung eines ersten Dotierstoffprofils (A), das mit zunehmendem Abstand von der Drainelektrode (328) abnimmt und das vertikale Dotierstoffprofil in einer ersten Zone nächst zu der Drainelektrode (328) dominiert, und eines zweiten Dotierstoffprofils (B), das ein verbreitertes Spitzendotierstoffprofil ist und das vertikale Dotierstoffprofil in einer zweiten Zone nächst zu der Bodyzone (320) dominiert, ist. |
