Gasphasen-Schichtabscheidung-Vorrichtung

摘要

Aufgabe: Bereitstellen einer Schichtabscheidung-Vorrichtung, welche zur selben Zeit drei Faktoren realisiert, welche sind: ein hoher Partialdruck von flüchtigen Komponenten, eine große Strömungsgeschwindigkeit und eine glatte Abscheidungsratenkurve bei einem geringem Verbrauch von Gas. Lösung: Die Reaktorstruktur 10 ist mit einem scheibenartigen Suszeptor 20, einer Gegenflächen-Komponente 30, welche dem Suszeptor 20 gegenüber liegt, einem Injektor 40, einem Materialgas-Einleitungsabschnitt 60 und einem Gas-Entlüftungsabschnitt 38 ausgebildet. Ein Substrat W wird von einem Waferhalter 22 gehalten, und der Waferhalter 22 wird von einer Stütz-Komponente 26 des Suszeptors 20 gehalten. Der Suszeptor 20 dreht sich um seine Zentralachse herum und das Substrat W dreht sich ebenso um sich selbst. Die Gegenfläche-Komponente 30 ist strukturiert, so dass ein fächerförmig vertiefter Abschnitt 34 und ein fächerförmig erhobener Abschnitt 36 abwechselnd gebildet sind auf eine radiale Weise, von welcher sich die Höhe des Strömungskanals in einer umlaufenden Richtung verändert. Dadurch ist es möglich eine Schichtabscheidung zu realisieren äquivalent zu der, welche unter optimalen Voraussetzungen von einer konventionellen Vorrichtung bei einer kleineren Strömungsrate des Trägergases erreicht wird. Es ist ebenso möglich einen Partialdruck des Materialgases der flüchtigen Komponenten dramatisch zu erhöhen, verglichen mit einem konventionellen Fall.