发明名称 |
一种光控可调太赫兹波衰减装置 |
摘要 |
本实用新型提供一种光控可调太赫兹波衰减装置,所述衰减装置包括硅基-二氧化钒薄膜、激光发射器、准直器以及电源接口。所述硅基-二氧化钒薄膜垂直于太赫兹波束方向,所述激光发射器设置在硅基-二氧化钒薄膜一侧,所述激光发射器与准直器相连,所述电源接口与激光发射器相连。本实用新型通过调节电源端口的注入电流的大小,使激光发射器输出的光功率发生连续调节,由于硅基-二氧化钒薄膜在激光发射器作用下会发生半导体-金属相变,改变硅基-二氧化钒薄膜的电导率,从而使太赫兹波的吸收率发生变化,达到实现调节透射太赫兹波衰减量的目的。本实用新型的优点在于:结构简单、体积小、易于集成,主要运用于太赫兹波应用技术领域。 |
申请公布号 |
CN204256321U |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201420805372.7 |
申请日期 |
2014.12.17 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
发明人 |
王昌雷;李丹丹;武帅 |
分类号 |
G02F1/01(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/01(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种光控可调太赫兹波衰减装置,其特征在于:包括硅基‑氧化钒薄膜(1)、激光发射器(2)、球面准直透镜(3)以及电源接口(6);所述硅基‑二氧化钒薄膜(1)垂直于太赫兹波束方向,激光发射器(2)设置在硅基‑二氧化钒薄膜(1)一侧,激光发射器(2)与准直器(3)相连,激光发射器(2)发出的激光从准直器(3)射出,照射在硅基‑氧化钒薄膜(1)的膜面上,并且照射在硅基‑氧化钒薄膜(1)的膜面上的激光光斑完全覆盖透射的太赫兹波斑,电源接口(6)与激光发射器(2)相连。 |
地址 |
230001 安徽省合肥市合肥高新技术开发区香樟大道199号 |