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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Transistors mit teilweise fallender Emitterspannung-Emitterstrom-Charakteristik
摘要
申请公布号 DE1227152(B) 申请公布日期 1966.10.20
申请号 DE1962D038307 申请日期 1962.03.06
申请人 SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT;STANDARD ELEKTRIK LORENZ AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 SALOW DR. PHIL. HELMUT;HAEHNLEIN DIPL.-PHYS. ALFONS
分类号 H01L21/74;H01L29/00 主分类号 H01L21/74
代理机构 代理人
主权项
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