一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的制作方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，其中制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所述基区和所述阱部分重叠，且所述基区比所述阱深度浅；以及制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；其中通过调节所述阱的布图宽度来调节所述体区弯度。

主权项

一种在半导体衬底上制作横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的方法，包括：制作栅极；制作体区，其中所述体区包含体区弯度，制作所述体区包括：在所述半导体衬底上制作阱，其中所述阱为第一掺杂类型；制作基区，其中所述基区为所述第一掺杂类型，所述基区和所述阱部分重叠，且所述基区比所述阱深度浅；以及制作源极区和漏极接触区，其中所述源极区和所述漏极接触区为第二掺杂类型，所述源极区在所述栅极一侧和所述体区相接，所述漏极接触区位于所述栅极的另一侧；其中所述阱的布图宽度以与所述体区弯度成负相关的方式对所述体区弯度进行控制。