一种氮化物发光二极管制备方法

摘要

本发明提出了一种氮化物发光二极管制备方法，采用PVD法在更大深度的图形化衬底上沉积AlN薄膜层，在AlN薄膜层上利用CVD法沉积厚度较薄氮化物外延层，通过减薄外延层较小应力，改善外延片的翘曲，进而改善单片外延片的电性均匀性；同时利用大深度图形化衬底改善取光效率；且在活性层中掺入高浓度杂质，在不影响漏电的状况下可有效降低电压特性，进而改善发光二极管的整体良率。

主权项

一种氮化物发光二极管制备方法，包括如下步骤：步骤一：提供一衬底，将其放入物理气相沉积（PVD）腔室；步骤二：利用PVD法在所述衬底表面沉积AlN材料层；步骤三：将沉积有所述AlN材料层的衬底取出，再将其放入化学气相沉积（CVD）腔室；步骤四：在所述AlN材料层表面利用CVD法沉积氮化物材料层；步骤五：在所述氮化物材料层表面沉积具有高浓度掺杂的活性层，其掺杂浓度足以改善发光二极管的电压特性；步骤六：在所述高浓度掺杂活性层表面沉积p型层。