发明名称 同步控制电路
摘要 本发明提供一种同步控制电路,以进行控制信号的转换而控制P型金属氧化物半导体场效晶体管及N型金属氧化物半导体场效晶体管,使控制器得以低压制程来制作而降低制程成本。而且经同步控制电路进行信号转换后,也可以使P型金属氧化物半导体场效晶体管及N型金属氧化物半导体场效晶体管由关闭状态转成导通状态的时间拉长,而抑制输出电压的电压突波的幅度,以避免过大电压突波可能的电路组件损毁的问题。
申请公布号 CN103095109B 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201110351253.X 申请日期 2011.11.04
申请人 登丰微电子股份有限公司 发明人 王政雄
分类号 H02M1/088(2006.01)I 主分类号 H02M1/088(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国
主权项 一种同步控制电路,其特征在于,用以根据一控制器的一控制信号控制一图腾柱电路,该控制器耦接一低于或等于输入电压的工作电压,而该图腾柱电路包含串联的一P型金属氧化物半导体场效晶体管及一N型金属氧化物半导体场效晶体管,其中该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端耦接一输入电压、该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第一端以及该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一第二端耦接地,该同步控制电路包含:一高端驱动电路,耦接该输入电压及该P型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端,并根据该控制信号产生一第一切换信号以控制该P型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态,该高端驱动电路包含一电容,该电容的一端耦接该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该控制端,另一端用以耦接该控制器以接收该控制信号;以及一低端驱动电路,耦接该N型金属氧化物半导体场效晶体管的一控制端,并根据该控制信号产生一第二切换信号以控制该N型金属氧化物半导体场效晶体管的状态为一导通状态及一关闭状态;其中,该P型金属氧化物半导体场效晶体管的该导通状态的一时序与该N型金属氧化物半导体场效晶体管的该导通状态的一时序彼此交错不重叠。
地址 中国台湾新北市汐止区工建路366号6楼