| 发明名称 | 层间电介质的近界面平坦化回刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种层间电介质层(ILD)的近界面平坦化回刻方法，包括：在晶圆表面通过化学气相沉积或者氧化方法沉积或生长一层厚的SiO<sub>2</sub>；旋涂一层SOG，然后热处理获得较为均匀的叠层结构；利用等离子体刻蚀进行SOG回刻，接近SiO<sub>2</sub>近界面时停止；等离子回刻余下的近界面SOG/SiO<sub>2</sub>结构直到所需厚度。由于采用了近界面两步刻蚀，得到了极佳的ILD平整表面，不仅在晶片中心区而且乃至在边缘处也仍然能得到平坦整齐的ILD表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102592989B | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
| 申请号 | CN201110003118.6 | 申请日期 | 2011.01.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孟令款;殷华湘 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种用于对在半导体结构上的电介质构成的叠层结构进行平坦化的方法，包括：对所述叠层结构进行热处理，使其回流，其中所述叠层结构的下层厚度大于上层厚度；进行第一刻蚀，直至接近所述叠层结构的层间界面处，所述第一刻蚀的停止位置与所述叠层结构的层间界面之间的距离为<img file="FDA0000650909530000011.GIF" wi="129" he="76" />至<img file="FDA0000650909530000012.GIF" wi="181" he="78" />进行第二刻蚀，直至露出所述半导体结构的顶部。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||