旋涂配制剂以及剥离经离子注入的光致抗蚀剂的方法

摘要

提供可用于剥离经离子注入的光致抗蚀剂的旋涂配制剂，其包含含有至少一种酸性官能团的水溶性聚合物和至少一种含有镧系金属的氧化剂的水溶液。该旋涂配制剂被施加到经离子注入的光致抗蚀剂并被烘烤而形成经改性的光致抗蚀剂。该经改性的光致抗蚀剂可溶于含水的、酸性的、或有机的溶剂。由此可使用上述溶剂中的一种来完全地剥离经离子注入的光致抗蚀剂以及任何可能存在的光致抗蚀剂残留物。剥离经改性的光致抗蚀剂之后可执行冲洗步骤。

主权项

一种从半导体结构去除经离子注入的光致抗蚀剂材料的方法，包括：在半导体结构的表面上设置构图的光致抗蚀剂，所述构图的光致抗蚀剂具有位于其中的至少一个开口，所述至少一个开口暴露所述半导体结构的半导体衬底的上表面；通过离子注入将掺杂剂引入所述半导体衬底的暴露的上表面以及所述构图的光致抗蚀剂中；至少在经离子注入的构图的光致抗蚀剂的暴露的上表面上形成含有氧化剂的聚合物膜；执行烘烤步骤，该烘烤步骤引起在所述聚合物膜与所述经离子注入的构图的光致抗蚀剂之间的反应，在该反应中形成可溶于含水的、酸性的、或有机的溶剂中的经改性的构图的光致抗蚀剂；以及使用含水的、酸性的、或有机的溶剂从所述半导体结构去除所述经改性的构图的光致抗蚀剂。