锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件，有源区由浅槽场氧隔离，集电区包括形成于有源区两侧的浅槽底部的P型埋层、形成于浅槽底部且与P型埋层连接的P型杂质离子注入层，P型埋层与基区在横向相隔的距离大于1微米；基区由形成于有源区上部的N型杂质离子注入层构成；发射区由形成于基区的N型杂质离子注入层之上的P型锗硅外延层和形成于浅槽顶部与P型锗硅外延层相接的多晶硅层构成，所述P型锗硅外延层的上部具有一硅化物阻挡层。本发明还公开了一种所述PNP器件的制造方法。本发明提高了PNP器件的性能，发射区形成无金属硅化物的锗硅，减少金属硅化物对硅的损失，提高发射区的厚度，降低基极扩散电流，提高直流电流放大倍数。

主权项

一种锗硅HBT工艺中的横向寄生型PNP器件，其特征在于，有源区由浅槽场氧隔离，包括集电区、基区和发射区；其中，集电区，包括形成于有源区两侧的浅槽底部的P型埋层、形成于浅槽底部且与P型埋层连接的P型杂质离子注入层，所述P型埋层与基区在横向相隔的距离大于1微米，所述集电区通过在P型埋层顶部对应的浅槽中的深接触孔引出；基区，由形成于有源区上部的N型杂质离子注入层构成；发射区，由形成于基区的N型杂质离子注入层之上的P型锗硅外延层和形成于浅槽顶部与P型锗硅外延层相接的多晶硅层构成，所述发射区通过多晶硅层顶部的金属硅化物层上的接触孔引出；所述P型锗硅外延层的上部具有一阻止锗硅金属硅化的硅化物阻挡层。