| 摘要 |
반도체 장치의 제조 방법은, 제1 도전막이 형성된 기판 위에 절연막을 형성하는 절연막 형성 공정과, 상기 절연막에 오목부를 형성하고, 오목부의 일부에 상기 제1 도전막을 노출시키는 오목부 형성 공정과, 상기 오목부 형성 공정 후, 상기 절연막과 상기 제1 도전막을 덮도록 금속 산화막을 형성하는 금속 산화막 형성 공정과, 상기 금속 산화막 형성 공정 후에, 상기 기판에 원자상 수소를 조사하는 수소 라디칼 처리 공정과, 상기 오목부의 내부에 제2 도전막을 형성하는 제2 도전막 형성 공정을 갖는다. |
