发明名称 METHOD FOR PRODUCING SOS SUBSTRATES, AND SOS SUBSTRATE
摘要 결함수가 적고, 또한 그 불균일이 없는 SOS 기판을 재현성 좋게 제작할 수 있고, 또한 반도체 제조 라인에 투입 가능한 SOS 기판의 제조 방법, 즉 실리콘 기판(1)의 표면으로부터 이온을 주입하여 이온 주입 영역(3)을 형성하고, 상기 실리콘 기판(1)의 이온 주입한 표면과 사파이어 기판(4)의 표면을 직접 또는 절연막(2)을 개재하여 첩합한 후, 상기 이온 주입 영역(3)에서 실리콘 기판(1)을 박리시켜 사파이어 기판(4) 상에 실리콘층(6)을 가지는 SOS 기판(8)을 얻는 SOS 기판의 제조 방법으로서, 상기 사파이어 기판(4)의 면방위가 오프각 1° 이하의 C면인 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR20150037896(A) 申请公布日期 2015.04.08
申请号 KR20157002053 申请日期 2013.07.18
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 고니시 시게루;구보타 요시히로;가와이 마코토;아키야마 쇼지;나가타 가즈토시
分类号 H01L21/86;H01L27/118;H01L27/12 主分类号 H01L21/86
代理机构 代理人
主权项
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