| 摘要 |
<p>실시예에 따른 플래시 메모리 소자는 반도체 기판에 형성된 소자분리막 및 활성영역(active area); 상기 활성영역 상에 형성된 메모리 게이트; 및 상기 메모리 게이트를 포함하는 상기 반도체 기판 상에 형성된 제어 게이트;를 포함하며, 상기 소스 컨택이 형성될 상기 활성영역은 비트라인과 동일한 간격으로 형성되며, 소스 컨택이 형성되는 공통 소스라인 영역은 이웃하는 활성영역이 연결되도록 상기 반도체 기판에 불순물 영역이 형성된 것을 포함한다. 실시예에 따른 플래시 메모리 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상에 트렌치를 형성하는 단계; 소스 컨택이 형성될 영역 사이에 형성된 상기 트렌치에 불순물 영역을 형성하는 단계; 상기 불순물 영역이 형성된 상기 반도체 기판의 상기 트렌치에 절연물질을 매립하여 소자분리막을 형성하여, 활성영역을 형성하는 단계; 및 상기 소자분리막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 메모리 게이트 및 제어 게이트를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 소스 컨택이 형성될 상기 활성영역은 비트라인과 동일한 간격으로 형성되며, 상기 불순물 영역은 상기 소스 컨택이 형성되는 이웃하는 상기 활성영역을 연결시키는 것을 포함한다.</p> |
