具有金属化源极、栅极与漏极接触区域的半导体芯片的封装

摘要

本发明涉及一种金属化半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域的晶圆级方法，其包含有步骤(a)植入镍至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域，并在完成步骤(a)之后，进行步骤(b)植入金至半导体芯片的源极、栅极与漏极接触区域。另外，本发明也涉及一种半导体封装结构，其包含有数个内连接层板，设置于导线架的数条导线与数个金属化钝化区域之间。

主权项

一种半导体封装，其特征在于，包括：一导线架，具有一漏极导线、一源极导线与一栅极导线；一半导体芯片，与导线架连接，该半导体芯片具有在该半导体芯片的源极接触区域、栅极接触区域与漏极接触区域分别先镀镍再镀金而形成的镍/金金属化源极接触区域、镍/金金属化栅极接触区域与镍/金金属化漏极接触区域；其中，该半导体芯片镍/金金属化漏极接触区域连接至所述的漏极导线；一图案化源极连接部位，连接所述的源极导线与半导体芯片镍/金金属化源极接触区域，且该图案化源极连接部位是焊接到所述半导体芯片镍/金金属化源极接触区域上的；一图案化栅极连接部位，连接所述的栅极导线与半导体芯片镍/金金属化栅极接触区域，且该图案化栅极连接部位是焊接到所述半导体芯片镍/金金属化栅极接触区域；及一封胶，覆盖至少一部分所述的半导体芯片以及所述的漏极导线、源极导线与栅极导线；其中，所述的图案化栅极连接部位包含一开口，且该图案化栅极连接部位通过该开口焊接于所述的半导体芯片的镍/金金属化栅极接触区域；所述的焊接所使用的焊料在回流焊接过程中在半导体芯片的镍/金金属化栅极接触区域的顶部形成一卡锁。