一种传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及贯穿所述感测单元的一组偏压线，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，所述薄膜晶体管器件的沟道上方设置有钝化保护层。本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底栅型，对比于现有技术，传感器的制造工艺减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。

主权项

一种传感器，其特征在于，包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及贯穿所述感测单元的一组偏压线，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元，其中，所述薄膜晶体管器件包括：位于衬底基板之上并与相邻的栅线连接的栅极；位于栅极之上并覆盖基板的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层之上、栅极上方的有源层；位于有源层之上的欧姆层；位于欧姆层之上并相对而置形成沟道的源极和漏极，所述漏极与相邻的数据线连接；以及覆盖沟道的钝化保护层；所述光电二极管传感器件包括：与源极同层设置且连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及位于透明电极之上的偏压电极，所述偏压电极与相邻的偏压线连接；所述传感器还包括:位于薄膜晶体管器件和透明电极之上的第一钝化层，所述第一钝化层未覆盖偏压电极和偏压线；位于第一钝化层之上，并位于源极、漏极及沟道上方的挡光条；位于挡光条之上并覆盖基板的第二钝化层，所述第二钝化层具有信号引导区过孔；其中，所述第一钝化层未覆盖形成偏压电极和偏压线的区域，所述数据线、源极、漏极和接收电极的材质相同；所述挡光条、偏压电极和偏压线的材质相同。