发明名称 |
半导体晶圆输送器具 |
摘要 |
如图1所示,能够在对半导体晶圆进行加热时实现对晶圆表面进行均匀加热的晶圆输送器具用于对规定大小的半导体晶圆进行保持且进行输送,该半导体晶圆输送器具包括:主体构件,其设有口径大于半导体晶圆的直径的开口部;支承构件,其至少为三个,具有规定的长度且具有与半导体晶圆的直径相对应地配置的多个销构件,而且,该支承构件朝向开口部的中心以直线状设于主体构件,该支承构件构成用于在自开口部的内缘部位突出的位置将半导体晶圆以同心圆状保持的保持机构。 |
申请公布号 |
CN104508813A |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201380039787.6 |
申请日期 |
2013.07.25 |
申请人 |
千住金属工业株式会社 |
发明人 |
六辻利彦;长田要 |
分类号 |
H01L21/673(2006.01)I;B65G49/07(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/673(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种半导体晶圆输送器具,其用于对规定大小的半导体晶圆进行保持且进行输送,其特征在于,该半导体晶圆输送器具包括:主体构件,其设有口径大于上述半导体晶圆的直径的开口部;支承构件,其至少为三个,具有规定的长度且具有与上述半导体晶圆的直径相对应地配置的多个销构件,而且,该支承构件构成用于在上述主体构件自上述开口部的内缘部位突出的位置将半导体晶圆以同心圆状保持的保持机构。 |
地址 |
日本东京都 |