发明名称 |
一种GaN基LED外延结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法,GaN基LED外延结构依次包括:衬底;位于衬底上的氮化物缓冲层;位于氮化物缓冲层上的N型GaN层;位于N型GaN层上的多量子阱层,多量子阱层包括若干组量子阱层,每组量子阱层依次包括In<sub>x</sub>Ga<sub>(1-x)</sub>N势阱层、AlN/GaN超晶格结构层、和GaN势垒层;位于多量子阱层上的P型GaN层。本发明可以提高量子阱的界面质量,同时减少内部应力,从而提高量子阱的内量子效率。 |
申请公布号 |
CN104505443A |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201410831198.8 |
申请日期 |
2014.12.26 |
申请人 |
聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
发明人 |
冯猛;陈立人;蔡睿彦 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
常亮 |
主权项 |
一种GaN基LED外延结构,其特征在于,所述GaN基LED外延结构依次包括:衬底;位于衬底上的氮化物缓冲层;位于氮化物缓冲层上的N型GaN层;位于N型GaN层上的多量子阱层,所述多量子阱层包括若干组量子阱层,每组量子阱层依次包括In<sub>x</sub>Ga<sub>(1‑x)</sub>N势阱层、AlN/GaN超晶格结构层、和GaN势垒层;位于多量子阱层上的P型GaN层。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 |