发明名称 分立件暗光控制开关
摘要 本实用新型公开了一种分立件暗光控制开关,其特征包括:12V直流电源、感光电路、光信号放大电路、光信号功率放大电路、直流继电器控制及保护电路。本实用新型所述的分立件暗光控制开关使用1只光敏电阻RG采集光信号,然后光信号通过2只NPN型晶体管进行两级放大,最后驱动直流继电器开关触点,用于照明、安防系统、计数器或远程控制等,它具有敏感高,光控反映速度快、工作可靠、造价低等特点。
申请公布号 CN204258765U 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201420825728.3 申请日期 2014.12.22
申请人 王志 发明人 王志
分类号 H03K17/78(2006.01)I 主分类号 H03K17/78(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种分立件暗光控制开关,它包括12V直流电源、感光电路、光信号放大电路、光信号功率放大电路、直流继电器控制及保护电路,其特征在于:所述的感光电路由光敏电阻RG、电位器RP和电阻R1组成,光敏电阻RG一端和线性电位器RP一端及电阻R1一端接NPN型晶体管VT1基极,线性电位器RP另一端及其活动端与电路正极VCC相连,光敏电阻RG另一端和电阻R1另一端接电路地GND;所述的光信号放大电路由NPN型晶体管VT1和电阻R2组成,NPN型晶体管VT1集电极接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电阻R2一端,电阻R2另一端接电路地GND;所述的光信号功率放大电路由NPN型晶体管VT2和电阻R3组成,NPN型晶体管VT2基极通过电阻R3接NPN型晶体管VT1发射极,NPN型晶体管VT2发射极接电路地GND,NPN型晶体管VT2集电极接直流继电器控制及保护电路;所述的直流继电器控制及保护电路由直流继电器J和硅整流二极管D1组成,NPN型晶体管VT2集电极接直流继电器J线圈一端和硅整流二极管D1正极,继电器J线圈另一端和硅整流二极管D1负极接电路正极VCC;所述的12V直流电源的正极与电路正极VCC相连,12V直流电源的负极与电路地GND相连。
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