发明名称 |
一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及石墨烯制备技术领域的一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法,尤其涉及一种晶畴可控的常压化学气相沉积石墨烯薄膜的分步制备方法。包括以下步骤:1)清洗金属基底铜箔;2)金属基底铜箔进行退火处理;3)在退火处理后的铜箔上进行石墨烯成核形成石墨烯晶畴;4)再将石墨烯成核后的铜箔进行惰化;5)将惰化后的铜箔回炉进行生长,石墨烯晶畴生长成石墨烯薄膜;6)冷却石墨烯薄膜,完成石墨烯薄膜的制备。本发明的有益效果是:步骤简单、操作方便,通过调节石墨烯在成核阶段的气体碳源流量控制石墨烯晶畴的密度、大小和层数,控制简单方便,形成高质量的石墨烯薄膜。 |
申请公布号 |
CN104498902A |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201410766927.6 |
申请日期 |
2014.12.12 |
申请人 |
中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆墨希科技有限公司 |
发明人 |
高翾;黄德萍;李占成;张永娜;朱鹏;姜浩;史浩飞;杜春雷 |
分类号 |
C23C16/453(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/453(2006.01)I |
代理机构 |
北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
代理人 |
杨立 |
主权项 |
一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)清洗金属基底铜箔;2)金属基底铜箔进行退火处理;3)在退火处理后的铜箔上进行石墨烯成核形成石墨烯晶畴;4)再将石墨烯成核后的铜箔进行惰化;5)将惰化后的铜箔回炉进行生长,石墨烯晶畴生长成石墨烯薄膜;6)冷却石墨烯薄膜,完成石墨烯薄膜的制备。 |
地址 |
400714 重庆市北碚区方正大道266号 |