| 主权项 |
降低开关电磁干扰调节装置，其特征在于包括误差放大器、脉宽调制电路、第一电阻、第一电容、第一PMOS管、第一NMOS管、功率管、第二PMOS管、第二NMOS管、第二电阻、第二电容、第三PMOS管、第三NMOS管、同步管、储能电感、滤波电容、第三电阻和第四电阻：所述第一电阻和所述第一电容接成并联，一端接电源VCC，另一端产生出内部电源VCCR；所述第二电阻和所述第二电容接成并联，一端接地GND，另一端产生出内部地GNDR；所述第一PMOS管和所述第一NMOS管接成反相器驱动所述功率管，所述第一PMOS管的源极接内部电源VCCR，所述第一NMOS管的源极接内部地GNDR；所述第二PMOS管和所述第二NMOS管接成反相器驱动所述第三PMOS管和所述第三NMOS管接成的反相器，所述第二PMOS管的源极接内部电源VCCR，所述第二NMOS管的源极接内部地GNDR；所述第三PMOS管和所述第三NMOS管接成反相器驱动所述同步管，所述第三PMOS管的源极接内部电源VCCR，所述第三NMOS管的源极接内部地GNDR；所述误差放大器的负输入端接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端，正输入端接基准电压VREF，输出端接所述脉宽调制电路；所述脉宽调制电路输入端接所述误差放大器的输出端，输出端接所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极；所述第一PMOS管和所述第二NMOS管接成反相器的输入端接所述脉宽调制电路的输出端，输出端接所述功率管的栅极；所述第二PMOS管和所述第二NMOS管接成反相器的输入端接所述脉宽调制电路的输出端，输出端接所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极；所述第三PMOS管和所述第三NMOS管接成反相器的输入端接所述第二PMOS管和所述第二NMOS管接成反相器的输出端，输出端接所述同步管的栅极；所述功率管的栅极接所述第一PMOS管和所述第二NMOS管接成反相器的输出端，源极接输入电源VCC，漏极接所述储能电感的一端和所述同步管的漏极；所述同步管的栅极接所述第三PMOS管和所述第三NMOS管接成反相器的输出端，漏极接所述功率管的漏极和所述储能电感的一端，源极接地；所述储能电感的一端接所述功率管的漏极和所述同步管的漏极，另一端为装置的输出端和所述滤波电容的一端和所述第三电阻的一端，所述滤波电容的另一端接地；所述第三电阻的一端接装置的输出端和所述储能电感的一端和所述滤波电容的一端，另一端接所述第四电阻的一端和所述误差放大器的负输入端，所述第四电阻的另一端接地。 |
