发明名称 |
一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种用于制备组件抗PID特性的晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺,可以在保证电池片转换效率不下降的前提下,制备出具有抗PID特性的太阳能电池封装组件。它在硅片表面沉积一种由内到外的氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层减反射膜,使叠层膜具有:内层氮化硅膜具有良好的氢体钝化效果,保证电池片转换效率不下降;二氧化硅膜具有阻碍Na<sup>4</sup>离子特性,以致组件具有抗PID效果。本发明的有益效果是:只需要调整PECVD镀膜工艺方案,不需要添加设备,不增加电池制程工序,就可以在保证转换效率不下降的前提下,具有抗PID效果;该方案简单可行、成本低廉,且能够用于工业化大生产;适用于所有单晶、多晶晶硅太阳能电池的管式PECVD镀膜设备。 |
申请公布号 |
CN104498908A |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201410658601.1 |
申请日期 |
2014.11.19 |
申请人 |
横店集团东磁股份有限公司 |
发明人 |
陈金灯;李虎明 |
分类号 |
C23C16/513(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/513(2006.01)I |
代理机构 |
杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 |
代理人 |
尉伟敏 |
主权项 |
一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺,其特征是,在硅片表面沉积一种由内到外的氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层减反射膜的PECVD工艺,具体操作工艺如下:(1)将完成制绒、扩散、刻蚀清洗几道工序的硅片送入管式PECVD炉管中,在400‑500℃的温度下,先后完成抽真空、NH<sub>3</sub>清洗、N<sub>2</sub>气吹扫、抽真空工艺步骤;(2)随后通入SiH<sub>4</sub>和NH<sub>3</sub>制备内层氮化硅膜;(3)在完成内层氮化硅膜工艺后,抽真空,随后通入SiH<sub>4</sub>和N<sub>2</sub>O制备二氧化硅膜;(4)在完成二氧化硅膜工艺后,抽真空,随后通入SiH<sub>4</sub>和NH<sub>3</sub>制备外层氮化硅膜;(5)在完成外层氮化硅镀膜工艺后,先后完成抽真空、N<sub>2</sub>气吹扫、充N<sub>2</sub>恢复常压、出片,至此完成整个氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层膜镀膜工序。 |
地址 |
322118 浙江省金华市东阳市横店工业区 |