发明名称 一种动态存储器刷新方法与刷新控制器
摘要 本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器,属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器,利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线,在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作,而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储Bank的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号;根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行进行。本发明消除了刷新操作与外部访问的冲突,使存储器能够完全随机实时地进行访问。
申请公布号 CN104505117A 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201410851866.3 申请日期 2014.12.30
申请人 华中科技大学 发明人 桑红石;王文;张天序;梁巢兵;高英华;石志伟;何宏;张鹏剑
分类号 G11C11/406(2006.01)I 主分类号 G11C11/406(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 廖盈春
主权项 一种动态存储器刷新方法,其特征在于,包括:步骤1将外部写访问操作划分为写入操作和空闲二个子阶段,将外部读访问操作划分为读出操作和缓存输出二个子阶段,将内部隐式刷新操作划分成为空闲、刷新读出操作、刷新写回数据控制和刷新写回操作四个子阶段;步骤2将每个时钟周期划分为上半时钟周期和下半时钟周期;步骤3当接收到内部刷新请求时,则产生指示刷新状态的指示信号,所述刷新状态指示信号包括刷新读状态信号和刷新写状态信号,当所述刷新读状态信号有效,表示进行刷新的第一个时钟周期需要进行刷新读出操作,则在所述第一时钟周期的上半时钟周期执行所述空闲操作,在所述第一时钟周期的下半时钟周期执行所述刷新读出操作;当所述刷新写状态信号有效,表示进行刷新的第二个时钟周期需要进行刷新写回操作,则在所述第二时钟周期的上半时钟周期执行所述刷新写回数据控制操作,在所述第二时钟周期的下半时钟周期执行所述刷新写回操作;步骤4当同时接收到外部读写访问和内部刷新请求时,则内部刷新操作按照所述步骤3的时序执行,同时在一个时钟的上半时钟周期执行外部读访问的所述读出操作和外部写访问的所述写入操作,在一个时钟的下半时钟周期执行所述外部读访问的所述数据缓存输出和所述外部写访问的所述空闲操作,实现所述外部读写访问和所述内部刷新操作的无冲突并行进行。
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