发明名称 一种垂直结构双工作模式紫外探测器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种垂直结构双工作模式紫外探测器及其制备方法,该垂直结构双工作模式紫外探测器包括衬底、缓冲层、欧姆电极、宽禁带半导体光吸收层、肖特基电极、绝缘介质钝化层、接触电极,其中,垂直结构双工作模式紫外探测器工作时:接触电极与欧姆电极加反向偏压或不加偏压时,垂直结构双工作模式紫外探测器工作在耗尽模式;当接触电极与欧姆电极加正向偏置电压时,垂直结构双工作模式紫外探测器的工作模式从肖特基势垒型的耗尽模式转变为光电导模式,垂直结构双工作模式紫外探测器表现出较高的增益,具体为增益因子>10。本发明的优点在于:具有工作可靠性高、制备工艺简单,无需刻蚀等优点。
申请公布号 CN102832286B 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201210335097.2 申请日期 2012.09.12
申请人 中国电子科技集团公司第三十八研究所;合肥公共安全技术研究院 发明人 谢峰;陆海;王国胜;郭进
分类号 H01L31/108(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/108(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种垂直结构双工作模式紫外探测器,其特征在于,其包括:衬底(101);缓冲层(102),其设置在衬底(101)上;欧姆电极(104),其设置在衬底(101)的底部;宽禁带半导体光吸收层(103),其设置在缓冲层(102)上;肖特基电极(105),其设置在宽禁带半导体光吸收层(103)上;绝缘介质钝化层(106),其覆盖在肖特基电极(105)的表面上,绝缘介质钝化层(106)上开设有能显露肖特基电极(105)的引线孔;接触电极(107),其设置在绝缘介质钝化层(106)上,并延伸至引线孔内而与肖特基电极(105)连接,其中,垂直结构双工作模式紫外探测器工作时:接触电极(107)与欧姆电极(104)加反向偏压或不加偏压时,垂直结构双工作模式紫外探测器工作在耗尽模式;当接触电极(107)与欧姆电极(104)加正向偏置电压时,垂直结构双工作模式紫外探测器的工作模式从肖特基势垒型的耗尽模式转变为光电导模式,垂直结构双工作模式紫外探测器表现出较高的增益,具体为增益因子>10。
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